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快充专用MOSFET顺利通过在某知名品牌充电器应用测试

      热烈祝贺晶科华兴集成电路(深圳)有限公司专为QC2.0快充研发的专用MOSFET HXN1008及HXN0608顺利通过我国某知名品牌手机厂商应用测试认证。

    为拓展公司产品应用范围,跟进消费电子产品发展,公司特别与国外团队合作,采用最新的MOSFET工艺制程,研发生产出具有低导通内阻、低Qg、超快开启速度的MOSFET,使其在系统应用中具有低功耗,同时提高效率,有效降低充电器温升,提高产品稳定性;与市面同类产品相比较,在9V/1A与9V/2A输出情况下,效率均提高1%;我司将通过坚持不懈努力,为客户提供更加优质的产品和服务
型号 封装 BVDS Vth ID Rds-on(mohm)max
测试条件(效率%:η)
(V) (V) (A) 10V 4.5V 9V/1A 9V/2A
HXN0608 SOP8 60 1.6 8 10 12 86.1 88.2
HXN1008 SOP8 100 1.6 8 18 20 85.5 87.3


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