虽然通常是英特尔在处理器创新技术方面处于大BOSS地位，但总有不按常理出牌的公司出现。这不，就在台积电和Intel还在10nm上探索打磨的时候，蓝色巨人IBM再一次跑到他们

前面去了。

       7月9日，IBM宣布在芯片工艺上取得了一项重大突破，该技术使用的电路尺寸远小于市面上的产品，可以在硅片上的放入更多的晶体管——这家公司已经成功研制出了7nm芯片样品，这项技术最大的变革在于，采用的是锗硅材料（silicon germanium，简称 SiGe）替代原有的纯硅并采用了极紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）微影技术。

       芯片制造业务虽然卖给了GlobalFoundries，但芯片研究还是很努力的嘛！透过电子显微镜（TEM）看到的IBM 7nm节点FinFETs图像，使用低于30nm的散热片节距封装。这项技术由IBM、GlobalFoundries、三星和纽约州立大学理工学院纳米工程系联手完成，一共投资了30亿美元。目前，这一技术还处于研究阶段，尚不能证明这种技术在大规模生产中的实用性。但如果得以实现，未来晶体管的通断会更快，而且功耗也将随之降低，根据IBM官方的说法，采用新材料及技术可以给芯片带来50%的性能提升，可以说是目前世界上最强大的芯片。
       IBM还表示，未来完全有可能研制出200亿颗晶体管的微处理器。这一消息确实很令人振奋，不过需要注意的是，IBM已经于日前将旗下芯片业务卖给GlobalFoundries，所以其相关

技术都已授权给后者。

       本次工艺进步可以帮助IBM及其合作伙伴给英特尔等竞争对手施加压力，同时也表明，整个行业仍然可以继续克服技术障碍，提升芯片速度、扩大存储容量并降低能耗。

       事实上，在14nm工艺之后，业界普遍认为半导体工艺已经逐渐停滞，与此同时大家也在质疑存活了50年的摩尔定律是不是已经过时了。
       以英特尔为例，其早就宣称有能力达到7nm的高度。但是结果呢，其最近基带处理器接连出现跳票延迟推出，撇开7nm不说，其10nm在不久前已经宣告了无限期跳票，这对一直在工艺上领先的英特尔来说确实有些难堪。除了英特尔，三星和台积电两家厂商也在逼近10nm这一关，现在还不能断言这是否是个死胡同，但14nm跨越到10nm确实是一个坎。
       不过，IBM拒绝给出7nm量产的时间。但远在太平洋对岸的台积电，倒是宣称2017年自己的7nm就能完工。可以说，IBM通过全新的材料以及全新的技术已经率先取得了突破，我们还可以继续相信神奇的摩尔定律，更值得期待的是“蓝色巨人”何时实现7nm的商用。