ROHM半导体(深圳)有限公司分立元器件部高级经理水原德健表示，因在SiC-MOSFET中采用沟槽结构可有效降低导通电阻，使其近年来备受关注。但为了确保元器件的长期可靠性，需要设计能够缓和Gate Trench部分产生的电场的结构。

       此次ROHM通过采用独创的结构，成功地解决了该课题并实现量产，被ROHM方面视作“具备里程碑意义”的大事件。数据显示，与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，输入电容降低约35%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。

       同步推出的产品还包括利用沟槽结构SiC-MOSFET的“全SiC”功率模块。该模块内部电路为2in1结构，采用SiC-MOSFET及SiC-SBD，额定电压1200V，额定电流180A。与使用平面型SiC-MOSFET的“全SiC”模块相比，其开关损耗降低约42%。

                            SiC-MOSFET平面结构和沟槽结构的性能比较

                             开关损失比较图(IGBT Module vs Planar MOSFET vs Trench MOSFET)